本文件界定了基于硅通孔(TSV)或凸点实现堆叠芯片的多芯片集成电路的术语和定义。本文件适用于基于硅通孔(TSV)或凸点实现堆叠芯片的多芯片集成电路的制造和测试。
　　标准编号：GB/T 43536.1-2023
　　中文名称：三维集成电路　第1部分：术语和定义
　　英文名称：Three dimensional integrated circuit—Part 1:Terminologies and definitions
　　ICS：31.200
　　CCS：L55
　　代替标准：
　　引用标准：
　　采用标准：IEC 63011-1:2018《集成电路　三维集成电路　第1部分：术语》 IDT 等同采用
　　发布日期：2023-12-28
　　实施日期：2024-04-01
　　提出部门：中华人民共和国工业和信息化部
　　归口单位：全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)
　　发布部门：国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
　　起草单位：中国电子技术标准化研究院、华进半导体封装先导技术研发中心有限公司、电子科技大学、池州华宇电子科技股份有限公司、中国科学院微电子研究所、中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所、珠海越亚半导体股份有限公司
　　起草人：李锟、肖克来提、彭博、彭勇、高见头、吴道伟、陈先明